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CX-85

クリーンルーム対応 窒素雰囲気リフロー炉

情報家電・移動体通信機器等に代表される多機能・コンパクト化とシステムの高速動作を目的とした開発競争はますます激しさを増しています。

その具現化の一方法として、ベア実装はワイヤーボンデングによるフェースアップ・パッケージングから、究極の実装法・FCBによるフェースダウン実装法が注目されています。

クリーンリフロー炉「CX-85」は、このウェハーレベルのソルダバンプ形成を目的に開発された最新の装置です。

■ 特長

  • 炉内清浄度
    クラス1000を実現(ウォーキングビーム搬送方式と輻射加熱方式
  • 炉内酸素濃度
    20ppm以下(機密性に優れたチャンバー構造)
  • フラックスヒューム燃焼装置
    炉内で発生したフラックスヒュームは加熱燃焼による処理を致します。従来のようなタール状のフラックス回収は抑制されます。
  • 自在性の高い温度設定
    ヒーターは搬送方向に5ゾーン、リフローゾーンが1加熱面で3ブロック分割制御されており、自在性の高い温度設定が可能となります。(16面制御)
  • 搬送機構
    発塵しないウォーキングビーム方式を採用し、タクト運転により、各ゾーンで安定した加熱が可能です。
  • 輻射加熱
    強制対流を必要としない輻射加熱方式を採用しているため、熱風によるバンプ表面仕上がり不良を抑制します。
  • 高温はんだ対応
    鉛フリーはんだ・高温はんだにも対応します。

 φ0.1mmスパークルボール

 ボール実装後

■ 主な用途

  • W-CSP(Wafer Level-CSP)のバンプ形成用
  • FCB/フリップ・チップ・ボンデング用として(ソルダリング・導電性ぺーストのキュア等)

■ CX-85:標準仕様

電源 AC200V, 50/60Hz, 3相, 26kw, 100A
装置寸法 全長:2,980mm, 全幅:1,100mm, 全高:1,260mm
重量 1,300kg
パスライン 900±20mm
適応基板幅 φ6 inch, φ8 inch
連続使用最高温度 370℃(ウェハー表面温度)
加熱部 ゾーン数 5ゾーン
加熱長 1,500mm(300mm×5ゾーン)
ヒーター容量
1, 2, 3ゾーン:1.5kw×4面 AC200V(2, 3ゾーン下面無し)
4, 5ゾーン:(500w × 3) × 4 面 AC100V

(3 ブロック分割/1面)
制御方式 PID制御、 各ヒーター個別制御(合計16面)
冷却部 冷却長 300mm
冷却方式 N2ガスパージ方式
搬送部 搬送方式 ウォーキングビーム方式
搬送方向 左→右(装置正面側から見て)
搬送有効幅 150〜200mm
搬送有効高さ 搬送面上10mm
タクトピッチ 300mm
炉内排気 インジェクタ方式による強制排気
窒素ガス消費量 250リットル/min.
(炉内酸素濃度20ppm以下/ウェハー連続投入時)
フラックスヒューム
燃焼装置
電源容量 10kw(燃焼装置本体)3kw(排気管保温ヒーター)
温度調整範囲 常温〜800℃
炉内清浄度 クラス1000(0.5μm)

★ベアチップ実装・ファイン実装のトータルサプライヤーとして設備・材料・工法とあらゆる方面から、ご相談を賜ります。
★オプションとして、ローダー・アンローダーも装備可能です。
★製品の仕様及びデザインは、改善等のため予告なく変更することがあります。
★本装置は当社と光洋サーモシステム株式会社の共同開発機です。

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